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2N6798

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2N6798

制造商
描述
Trans MOSFET N-CH 200V 22A 3-Pin TO-39 Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin TO-39 Trans
分类
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商业参数

标准包装数量Bulk标准封装名称TO-205-AF

合规参数

SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)欧盟RoHSNot Compliant
海关税号85412900抗辐射加固No

电气参数

最大栅源电压 Vgs±20 V最大功率Not Required W
噪声系数Not Required dB额定功率25 W
额定输出功率Not Required dB下降时间(典型)40(Max) ns
最大频率Not Required MHz晶体管类型:N Channel
首抽头延迟50(Max) ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id:4V钳位电压:54mJ
击穿电压200 V阈值电压:4V
最大额定电流:5.5A导通电阻 RDS(On):400mohm
触点电压(最大):200V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs400 mOhm
最大功耗:25W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic200 V
漏电流(最大)5.5 A导通电阻(最大)0.4 ohm
峰值脉冲电流(8/20µs):22A开关时间(Ton, Toff)(最大)30(Max) ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %漏源电压(Vdss):200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)22 A漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)22 A
连续漏极电流(Id)@ 25°C:5.5A

机械参数

长度:18.03mm重量:0.0024kg
包装方式Bulk端接方式:Through Hole
安装类型Through Hole引脚数:3
封装形式3TO-39冷却的封装TO-39
材料表面处理:-包装数量TO-39
外径9.22(Max)引线长度:14.22mm
位数3外壳尺寸-插件4.54(Max)

产品信息

类型Power MOSFET极性N
通道类型Enhancement印刷电路板数量3

环境参数

测试温度:25°C工作温度-55 to 150 °C
结工作温度:150°C

文档与媒体

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