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EPC8009ENGR

制造商	Efficient Power Conversion Corporation
描述	TRAN GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
分类	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

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商业参数

其他名称

917-EPC8009ENGR

标准包装数量

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

FET类型	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride	FET特性	Logic Level Gate
Vgs(th)（最大）@ Id	700mV @ 250µA	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	138 mOhm @ 500mA, 5V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	0.380nC @ 32.5V	漏源电压（Vdss）	65V
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	47pF @ 32.5V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	4.1A (Ta)

包装方式	Bulk	安装类型	*
封装形式	Die	供应商器件封装	Die