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EPC8005TENGR
| 制造商 | |
| 描述 | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | 2 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride | FET特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.218nC @ 32.5V | 漏源电压（Vdss） | 65V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 29pF @ 32.5V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.9A (Tc) |
机械参数
| 包装方式 | * | 安装类型 | * |
| 封装形式 | * | 供应商器件封装 | * |