点击放大查看

EPC2801

制造商	Efficient Power Conversion Corporation
描述	TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
分类	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

对参数有疑问？问 AI 助手

商业参数

其他名称

917-1035-2

标准包装数量

100

RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant

FET类型	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride	FET特性	Logic Level Gate
Vgs(th)（最大）@ Id	2.5V @ 5mA	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	7 mOhm @ 25A, 5V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10nC @ 5V	漏源电压（Vdss）	100V
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	950pF @ 50V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	25A (Ta)

包装方式	Tape & Reel (TR)	安装类型	Surface Mount
封装形式	Die	供应商器件封装	Die

PDF 文档

PDF 文档