EPC2065
| 制造商 | |
| 描述 | GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE |
| 分类 |
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合规参数
| 零件状态 | Active | 资质认证 | - |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | +6V, -4V |
| FET特性 | - | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 7mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 25A, 5V | 最大功耗 | - |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 12.2 nC @ 5 V | 漏源电压（Vdss） | 80 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1449 pF @ 40 V | 驱动电压（最大Rds On，最小Rds On） | 5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 60A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die | 供应商器件封装 | Die |
产品信息
| 制造商 | EPC | 等级 | - |
| 系列 | eGaN® | 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 基础产品编号 | EPC20 | ||
环境参数
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | ||