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EPC2022ENG
| 制造商 | |
| 描述 | TRANS GAN 100V 3MO BUMPED DIE |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 917-EPC2022ENG | 标准包装数量 | 10 |
电气参数
| FET类型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride | FET特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 12mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1500pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 60A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die | 供应商器件封装 | Die |
