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EPC2019ENG
| 制造商 | |
| 描述 | TRANS GAN 200V 45MO BUMPED DIE |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | 917-1055-2 | 标准包装数量 | 500 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride | FET特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1.5mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 7A, 5V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 230pF @ 100V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | * | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | * | 供应商器件封装 | * |
