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EPC2018

制造商	Efficient Power Conversion Corporation
描述	TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
分类	分立半导体元件双极型晶体管通用双极型晶体管

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商业参数

其他名称

917-1034-2

标准包装数量

500

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

FET类型	GaNFET N-Channel, Gallium Nitride	FET特性	Logic Level Gate
Vgs(th)（最大）@ Id	2.5V @ 3mA	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 6A, 5V
栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	7.5nC @ 5V	漏源电压（Vdss）	150V
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	540pF @ 100V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	12A (Ta)

包装方式	Tape & Reel (TR)	安装类型	Surface Mount
封装形式	Die	供应商器件封装	Die

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