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EPC2015
| 制造商 | |
| 描述 | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
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商业参数
| 其他名称 | 917-1019-2 | 标准包装数量 | 500 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | GaNFET N-Channel, Gallium Nitride | FET特性 | Logic Level Gate |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 9mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 33A, 5V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5nC @ 5V | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1100pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 33A (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Die Outline (11-Solder Bar) | 供应商器件封装 | Die Outline (11-Solder Bar) |
