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DMN3025LSS-13

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DMN3025LSS-13

制造商
描述
MOSFET BVDSS: 25V~30V T&R 2.5K MOSFET N CH 30V 7.2A SO-8 MOSFET 30V N-CH MOSFET
分类
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商业参数

最小起订量2500单位包装2500
其他名称DMN3025LSS-13DITR标准包装数量2,500
工厂包装数量2500

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间5.3 ns
最大栅源电压 Vgs20 VFET特性Logic Level Gate
栅极电荷13.2 nC最大功率1.4W
上升时间(典型)4.4 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟22.3 ns通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2V @ 250µA导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs20 mOhm @ 10A, 10V
平均正向功率1.4 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V
导通电阻(最大)14 mOhms栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs13.2nC @ 10V
漏源电压(Vdss)30V输入电容(Ciss)(最大)@ Vds641pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C7.2A (Ta)

机械参数

包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SO

产品信息

系列DMN3025技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Diodes Incorporated
配置1 N-Channel

环境参数

工作温度+ 150 C