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DMN2250UFB-7B
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET BVDSS: 8V~24V T&R 10K MOSF N CH 20V 1.35A X1DFN10063 MOSFET N-CH MOSFET 20V MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 10000 | 单位包装 | 10000 |
| 其他名称 | DMN2250UFB-7BDITR | 标准包装数量 | 10,000 |
| 工厂包装数量 | 10000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 25.4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 3.1 nC | 最大功率 | 500mW |
| 上升时间（典型） | 6.1 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 59.4 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1A, 4.5V |
| 平均正向功率 | 500 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 170 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 3.1nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 94pF @ 16V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.35A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3-UFDFN |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) | ||
产品信息
| 系列 | DMN22 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | 1 N-Channel | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||