点击放大查看
DMN2016LHAB-7
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET BVDSS: 8V~24V T&R 3K MOSF N CH DL 20V 7.5A UDFN20306 MOSFET DUAL N-CH MOSFET 20V MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN MOSFET 2N-CH 20V 7.5A |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | DMN2016LHAB-7DITR | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 1.1V @ 250µA |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 1.2W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 30 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 16nC @ 4.5V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1550pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 7.5A |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 6-UDFN Exposed Pad | 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 系列 | DMN2016 | 技术 | Si |
| 制造商全称 | Diodes Incorporated | 配置 | Dual |