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DMG4N65CTI
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET BVDSS: 501V~650V TUBE 50PCS MOSF N CH 650V 4A ITO-220AB MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 50 | 单位包装 | 50 |
| 其他名称 | DMG4N65CTIDI | 标准包装数量 | 50 |
| 工厂包装数量 | 50 | ||
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 16 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 5V @ 250µA | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 13.5 nC | 最大功率 | 8.35W |
| 上升时间（典型） | 13.8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 40 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| 平均正向功率 | 8.35 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 650 V |
| 导通电阻（最大） | 2.1 Ohms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 900pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | ||
产品信息
| 系列 | DMG4N65 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | 1 N-Channel | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||