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DMP3030SN-7
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET P-CH 30V 0.7A 3-Pin SC-59 T/R MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3 MOSFET 30V 700mA |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | DMP3030SNDICT |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 25 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 500mW | 额定功率 | 500 mW |
| 下降时间（典型） | 40 ns | 上升时间（典型） | 25 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 25 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 1mA | 击穿电压 | 30 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 250@10V mOhm | 平均正向功率 | 500 mW |
| 最大功耗 | 500 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 200 mOhms | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.7 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 0.7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 160pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 700mA (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 1.7(Max) | 高度 | 1.3 mm |
| 长度 | 3.1 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3SC-59 | 总长度 | 3.1(Max) |
| 包装数量 | SC-59 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.3(Max) | 供应商器件封装 | SC-59-3 |
产品信息
| 系列 | DMP3030 | 技术 | Si |
| 通道类型 | P | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||