点击放大查看
DMN5L06DWK-7
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R DMN5L06DWK-7 MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363 MOSFET Dual N-Channel MOSFET, NN CH, SOT-363 N Channel 31-91V |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1 | 单位包装 | 0 |
| 其他名称 | DMN5L06DWKDICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Cut Tape | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-26 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 250mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 250 mW |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel | 元件数量 | 2 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA | 击穿电压 | 50 V |
| 阈值电压 | :1V | 最大额定电流 | :800mA |
| 导通电阻 RDS(On) | :2ohm | 触点电压（最大） | :50V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2000@5V mOhm | 最大功耗 | :250mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 50 V | 漏电流（最大） | 0.305 A |
| 导通电阻（最大） | :2ohm | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.305 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 305 mA |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 305mA |
机械参数
| 宽度 | 1.35(Max) | 重量 | 0.000006 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :6 |
| 封装形式 | 6SOT-363 | 冷却的封装 | SOT-363 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 2.2(Max) |
| 包装数量 | SOT-363 | 位数 | 6 |
| 外壳尺寸-插件 | 1(Max) | 供应商器件封装 | SOT-363 |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 极性 | N |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Dual |
| 模块/板类型 | :Dual | 印刷电路板数量 | 6 |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档
PDF 文档