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DMN4031SSD-13
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K Trans MOSFET N-CH 40V 5.2A 8-Pin SO T/R Dual N-Ch 40V 31mOhm 7,0A SO8 MOSFET DL N-CH 40V 5.2A SO-8 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 10000 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | DMN4031SSD-13DICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | AEC-Q(101) | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 下降时间 | 3.1 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 18.6 nC | 最大功率 | 1.42W |
| 额定功率 | 1.42 W | 上升时间（典型） | 9.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 19.8 ns |
| 元件数量 | 2 | Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 击穿电压 | 40 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 31 mOhms |
| 最大功耗 | 2600 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V |
| 每端口功率（瓦） | n.s.W | 导通电阻（最大） | 31@10V |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V | 电流传输比（最小） | 11 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18.6nC | 直流电阻（DCR）- 初级 | 11 S |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 5.2 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 7 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 945pF @ 20V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.2A |
机械参数
| 宽度 | 3.95(Max) | 包装方式 | Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SO-8 |
| 冷却的封装 | SO | 总长度 | 4.95(Max) |
| 包装数量 | SO | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) | 供应商器件封装 | 8-SO |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | N |
| 匹配码 | DMN4031SSD-13 | 技术 | SMD |
| 通道类型 | N | 配置 | Dual |
| 标准交期 | 15 weeks | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 机械寿命 | New At Mouser | 工作温度 | + 150 C |
| 热阻 @ GPM | n.s.K/W | ||
文档与媒体
PDF 文档
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