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DMN2600UFB-7
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-Ch Dual MOSFET 25V VDSS 8V VGSS Trans MOSFET N-CH 25V 1.3A 3-Pin DFN T/R MOSFET N-CH DFN1006-3 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 其他名称 | DMN2600UFB-7DI |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | DFN |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±8 |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 540mW |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 2 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 击穿电压 | 25 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| 最大功耗 | 540 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V |
| 导通电阻（最大） | 600 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 0.85nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.3 |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 70.13pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.3A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 0.6 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3-UFDFN | 总长度 | 1 |
| 包装数量 | DFN | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.47 | 供应商器件封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
产品信息
| 系列 | DMN26 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Single with Gate Protection Diode | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | 150 | ||
文档与媒体
PDF 文档
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