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DMN2005LPK-7
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.44A 3-Pin DFN T/R N-CH MOS-FET+ESD 20V DFN1006-3 MOSFET N-CH 20V 440MA 3-DFN MOSFET 20V 200mA |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | DMN2005LPK-7DICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | DFN | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | AEC-Q(101) | 抗辐射加固 | No |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 450mW |
| 额定功率 | 450 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.2V @ 100µA |
| 击穿电压 | 20 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1500@4V mOhm |
| 最大功耗 | 0.45 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 每端口功率（瓦） | 0.54W | 导通电阻（最大） | 1.5 ohm |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 20V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.44 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.44A | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 440mA |
机械参数
| 宽度 | 0.6 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3DFN |
| 冷却的封装 | DFN | 总长度 | 1 |
| 包装数量 | DFN | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.47 | 供应商器件封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 极性 | N-CHANNEL |
| 匹配码 | DMN2005LPK | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 标准交期 | 12 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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