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DMG7702SFG-13
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 12A - 9.5A MOSFET BVDSS: 25V~30V T&R 3K MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | DMG7702SFG-13DI | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Schottky, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 890mW |
| 额定功率 | 0.89 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13.5A, 10V | 平均正向功率 | 890 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 10 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 14.7nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 9.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4310pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 | ||
产品信息
| 系列 | DMG7702 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Diodes Incorporated |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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