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DMC2004VK-7

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DMC2004VK-7

制造商
描述
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R MOSFET COMPLEMENTARY PAIR GREEN 3K MOSFET COMPL PAIR SOT-563 MOSFET 400mW 20V COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR N+P CH MOS+ESD 20V 0,67A SOT563
分类
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商业参数

最小起订量3000产品MOSFET Small Signal
单位包装3000其他名称DMC2004VKDICT
产品类别MOSFET标准包装数量Tape & Reel
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant汽车级NO
抗辐射加固NoESD保护Y
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型N and P-Channel最大栅源电压 Vgs±8 V
FET特性Logic Level Gate最大功率400mW
额定功率400 mW晶体管类型N and P-Channel
通道数量2 Channel元件数量2
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA二极管配置NO
击穿电压20 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs550@4.5V@N Channel|900@4.5V@P Channel mOhm
平均正向功率400 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic+/- 20 V
每端口功率(瓦)1 W导通电阻(最大)400 mOhms
空闲电流,典型值 @ 25°C0.67 A供电电压 (Vcc/Vdd)20 V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs8漏源电压(Vdss)20V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.67@N Channel|0.53@P Channel A栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 8 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)670 mA , - 530 mA输入电容(Ciss)(最大)@ Vds150pF @ 16V
连续漏极电流(Id)@ 25°C670mA, 530mA

机械参数

高度0.6 mm长度1.6 mm
包装方式Tape & Reel (TR)安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式6SOT-563
冷却的封装SOT-563位数6
供应商器件封装SOT-563

产品信息

类型Small Signal系列DMC2004
极性N/P技术Si
通道类型N|P制造商全称Diodes Incorporated
配置Dual

环境参数

工作温度-65 to 150 °C

文档与媒体

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