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DIIDMP2004VK7

制造商
Diodes Incorporated
描述Trans MOSFET P-CH 20V 0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
分类
分立半导体元件IGBT分立IGBT

电气参数

最大栅源电压 Vgs±8 V击穿电压20 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs900@4.5V mOhm峰值脉冲电流（10/1000µs）0.53 A

机械参数

安装类型Surface Mount封装形式6SOT-563

产品信息

通道类型P

环境参数

工作温度-65 to 150 °C