点击放大查看
2N7002T-7-F
| 制造商 | |
| 描述 | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R N-CH MOS-FET 0,115A 60V SOT523 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 MOSFET 60V 150mW MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT-523 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 2N7002T-FDICT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412100 |
| 抗辐射加固 | No | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 150mW |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 0.15 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 最大频率 | Not Required MHz |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 11 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 击穿电压 | 60 V | 阈值电压 | :2V |
| 最大额定电流 | :800mA | 导通电阻 RDS(On) | :13.5ohm |
| 触点电压（最大） | :60V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7500@5V mOhm |
| 最大功耗 | :150mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 漏电流（最大） | 0.115 A | 每端口功率（瓦） | 0.15W |
| 导通电阻（最大） | 7.5 ohm | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V |
| 电流传输比（最小） | 0.08 S | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Commercial | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.115A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 0.8 | 重量 | 0.000002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SOT-523 | 冷却的封装 | SOT-523 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 1.6 |
| 包装数量 | SOT-523 | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 0.75 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
产品信息
| 类型 | Small Signal | 极性 | N-CHANNEL |
| 匹配码 | 2N7002T | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 标准交期 | 11 weeks |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
PDF 文档