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CWDM305ND TR13
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual N-Ch Enh Mode MOSFET N-CH DUAL 20V 5.8A 8SOIC |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | CWDM305ND TR13 LEAD FREE | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 最大栅源电压 Vgs | 20 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 6.3 nC |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 3V @ 250µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 34 mOhms |
| 平均正向功率 | 2 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 34 mOhms | 电流传输比（最小） | 12 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.3nC @ 5V | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5.8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 560pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5.8A |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOIC-8 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | ||
产品信息
| 系列 | CWDM305ND | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Central Semiconductor |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||