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CMRDM3590
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET DUAL N-CHNL MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Small Signal | 商标名 | ATTOmini |
| 产品类别 | MOSFET | 工厂包装数量 | 8000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | 额定功率 | 125 mW |
| 晶体管类型 | N-Channel | 通道数量 | 2 Channel |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 3000 mOhms at 4.5 V | 平均正向功率 | 125 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 3 Ohms |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 8 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 0.16 A |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 160 mA | ||
机械参数
| 宽度 | 0.85 mm | 高度 | 0.5 mm |
| 长度 | 1.05 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-963-6 |
产品信息
| 系列 | CMRDM3590 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Central Semiconductor |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||
文档与媒体
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