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CMNDM8001 TR
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet |
| 分类 |
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商业参数
| 工厂包装数量 | 8000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | 栅极电荷 | 0.658 nC |
| 额定功率 | 250 mW | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 80 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2.4 Ohms |
| 平均正向功率 | 250 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V |
| 导通电阻（最大） | 2.4 Ohms | 电流传输比（最小） | 100 mS |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 200 mA |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | - 200 mA | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOT-953 | ||
产品信息
| 系列 | CMNDM | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | Central Semiconductor |
| 配置 | Single Triple Drain | ||
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||