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CMNDM7001 TR

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CMNDM7001 TR

制造商
描述
MOSFET SMD- Small Signal N-Channel Mosfet
分类
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商业参数

工厂包装数量8000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大栅源电压 Vgs10 V栅极电荷0.566 nC
额定功率250 mW晶体管类型N-Channel
首抽头延迟75 ns通道数量1 Channel
Vgs(th)(最大)@ Id0.9 V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1.3 Ohms
平均正向功率250 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
导通电阻(最大)1.3 Ohms电流传输比(最小)100 mS
栅极触发电压 Vgt (最大)10 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)200 mA
连续漏极电流(Id)@ 25°C200 mA

机械参数

包装方式Reel安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-953

产品信息

系列CMNDM技术Si
通道类型Enhancement制造商全称Central Semiconductor
配置Single Triple Drain

环境参数

工作温度- 65 C