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CEDM8001 TR

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CEDM8001 TR

制造商
描述
MOSFET P-Channel MOSFET 20V 100mA MOSFET P-CH 10V SOT-883
分类
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商业参数

其他名称CEDM8001 TR LEAD FREE标准包装数量8,000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

FET类型MOSFET P-Channel, Metal OxideFET特性Standard
最大功率100mW晶体管类型P-Channel
Vgs(th)(最大)@ Id1.1V @ 250µA导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8 Ohm @ 10mA, 4V
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 20 V导通电阻(最大)8 Ohms
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs0.66nC @ 4.5V漏源电压(Vdss)20V
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds45pF @ 3V连续漏极电流(Id)@ 25°C100mA (Ta)

机械参数

包装方式Reel安装类型Surface Mount
封装形式SC-101, SOT-883供应商器件封装SOT-883

产品信息

系列CEDM8001技术Si
制造商全称Central Semiconductor

文档与媒体

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