NESG2021M05-A
| 制造商 | |
| 描述 | Transistors RF Silicon Germanium NPN SiGe High Freq Transistors RF Bipolar NPN SiGe High Freq |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | Transistors RF Bipolar | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 额定功率 | 175 mW | 晶体管类型 | NPN |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.5 V | 集电极截止电流（最大） | 35 mA |
机械参数
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | SOT-343 |
产品信息
| 类型 | RF Silicon Germanium | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||
文档与媒体
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