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DS1230AB150+
| 制造商 | |
| 描述 | DS1230AB150+, NVRAM Memory 256kbit Through Hole, 4.75 to 5.25V, 0 to +70°C, 28-Pin, EDIP , 256kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 28针 EDIP封装 |
| 分类 |
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电气参数
| 接口 | Parallel | 存取时间 | 150ns |
| 存储器容量 | 256kbit | 额定电压 | 4.75 V |
| 供电电压 | 4.75 V | 最小供电电压 | 5.25 V |
机械参数
| 宽度 | 18.8mm | 高度 | 9.4mm |
| 长度 | 39.12mm | 安装类型 | Through Hole |
| 引脚数 | 28 | 冷却的封装 | EDIP |
| 包装数量 | EDIP | 尺寸/外形 | 39.12 x 18.8 x 9.4mm |
| 位数 | 28 | 核心数/总线宽度 | 8bit |
产品信息
| 结构（如双向、串接等） | 32K x 8 位 | 制造商全称 | 32K x 8 bit |
| RAM容量/已安装 | 256Kbit | ||
环境参数
| 工作温度 | +70 °C | ||