Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | No |
| 输入类型 | DC |
| 最大集电极发射极电压 | 70 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 隔离电压 | 2500 Vrms |
| 电流传输比 | 125 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.55 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极电流 | 150 mA |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 封装 | Bulk |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 每个芯片的通道数 | 2 Channels |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 输出类型 | DC |
| 寿命 | Obsolete |
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