texas instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC |
| 类型 | Instrumentation Amplifier |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大电压增益 | 80 dB |
| 电源类型 | Dual |
| 最小双电源电压 | ±2.25 V |
| 最大双电源电压 | ±18 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 电流 - 输出/通道 | 15mA |
| 放大器类型 | Instrumentation |
| 安装类型 | Surface Mount |
| - 3dB带宽 | 1.3MHz |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 封装 | Tube |
| 电流 - 电源 | 700µA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 4.5 V ~ 36 V, ±2.25 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 4 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 2nA |
| 电压 - 输入偏移 | 25µV |
| 电路数 | 1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 身高 | 1.58mm |
| 长度 | 4.9mm |
| 最大输入电阻 | 100GΩ |
| 最高工作温度 | +85 °C |
| 最低CMRR | 73dB |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 包装类型 | SOIC |
| 引脚数 | 8 |
| 轨至轨 | No |
| 典型双电源电压 | ±15V |
| 宽度 | 3.91mm |
| 输入失调电压 | 125000 mV |
| 通道数 | 1 |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 元件数 | 3 |
| 共模抑制比 | 73 dB |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 输入电阻 | 100000 MOhm |
| Dual Supply Voltage (Typ) | �15 V |
| 输入偏置电流 | 10 nA |
| 电压增益dB | 80 dB |
| 电源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �2.25 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 弧度硬化 | No |
| 单电源电压（最小值） | Not Required V |
| 单电源电压（最大值） | Not Required V |
| 单电源电压（典型值） | Not Required V |
| Dual Supply Voltage (Max) | �18 V |
| 案例 | SO8 |
| Integrated circuit type | operational amplifier |
| Gross weight | 0.12 g |
| Multiplicity | 1 |
| Collective package [pcs] | 20 |
| spg | 20 |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -40 to 125 |
| Package | Pins | SOIC (D) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 75 | TUBE |
| Functional Diagram | |
| CMRR | 120 |
| Input Bias Current (+/-) | 5 |
| Input Offset (+/-) | 250 |
| HiRel | Y |
| Non-Linearity (+/-) | 0.012 |
| Package Group | PDIP SOIC |
| 增益 | 1 to 10000 |
| Reference Design | Y |
| Bandwidth at G=100 | 200 |
| 工作温度范围 | -40 to 125 |
| Output Offset (+/-) | |
| Output Offset Drift (+/-) | 20/G |
| Datasheet | SBOS051B |
| Noise at 1kHz | 8 |
| Rating | Military |
| TI Design | Y |
| Iq | 0.7 |
| Vs | 36 |
| Input Offset Drift (+/-) | 0.5 |
| Dual supply voltage | ±2.25 ...±18 V |
| Amplification | 1 ...10000 |
| Voltage noise | 8 nV/√Hz |
| Linear error | ±0.0005 % |
| 带宽 | 200 |
| Input offset voltage | ±25 µV |
| 设计 | Single |
| 压摆率 | 4 |
| Operating temperature | -40...+85 °C |
| 典型双电源电压 | ±15V |
| 最小CMRR | 73dB |
| 轨对轨 | 无 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大输入偏置电压 | 125µV |
| 电源类型 | 双 |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 高度 | 1.58mm |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 宽度 | 3.91mm |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 长度 | 4.9mm |
| 最大输入电阻值 | 100GΩ |
| 典型增益带宽积 | 1.3MHz |
| 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 工作电源电流 | 700 uA |
| 双电源电压 | +/- 15 V |
| 工厂包装数量 | 75 |
| Ib - Input Bias Current | 5 nA |
| 工作电源电压 | 4.5 V to 36 V |
| 产品 | Instrumentation Amplifiers |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 1.3 MHz |
| 品牌 | Texas Instruments |
| CMRR - Common Mode Rejection Ratio | 120 dB |
| INL - Integral Nonlinearity | 0.012 % |
| en - Input Voltage Noise Density | 8 nV/sqrt Hz |
| 3 dB带宽 | 200 kHz |
| 电源电压 - 最大 | 36 V |
| Gain V/V | 1 V/V to 10000 V/V |
| 电源电压 - 最小 | 4.5 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vos - Input Offset Voltage | 250 uV |
| 系列 | INA128 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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