所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2PDIP |
| 类型 | Chip |
| 波长 | 950 nm |
| 最大反向电压 | 20 V |
| 最大光电流 | 34 uA |
| 最大上升时间范围 | 15 to 250 ns |
| 最大暗电流 | 30 nA |
| 光电二极管材料 | Si |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 标准包装 | Bulk |
| 倒V / VECO | 20V |
| 匹配代码 | BP104F |
| Photo curr.min. | 25µA |
| 电源dissip | 150mW |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 10 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Sens.range分 | 800nm |
| 上升/下降时间 | 20ns |
| Op.temp.max. | 100°C |
| 封装 | BULK |
| 探测角度 | 120° |
| SMD / THT | THT |
| 敏感区 | 4.84mm² |
| Op.temp.min. | -40°C |
| 暗电流为100nA | 2nA |
| 汽车 | CERTIFICAT |
| Max.sensivity | 950nm |
| Sens.range最大 | 1100nm |
| RoHS指令 | RoHS Compliant Part |
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