avago technologies
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8LPCC |
| 配置 | Single Dual Source |
| 最大漏源电压 | 7 V |
| 最大连续漏极电流 | 1000 mA |
| 最大门源电压 | 0.8 V |
| 最大漏极栅极电压 | -5 to 1 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | LPCC |
| 最大门源电压 | 0.8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DFP-N |
| Package Height | 0.73 |
| 最大功率耗散 | 3500 |
| 最大漏极栅极电压 | -5 to 1 |
| 封装 | Bag |
| 最大漏源电压 | 7 |
| Package Width | 2 |
| 最大连续漏极电流 | 1000 |
| PCB | 8 |
| Package Length | 2 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 电压 - 额定 | 7V |
| 噪声系数 | 1dB |
| 供应商设备封装 | 8-LPCC (2x2) |
| 电压 - 测试 | 4.5V |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | 8-LPCC |
| 电流 - 测试 | 280mA |
| 额定电流 | 1A |
| 功率 - 输出 | 29dBm |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 连续漏极电流 | 1 A |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | Transistors RF JFET |
| 在P1dB | 29 dBm |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 1872 mmho |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 漏源电压VDS | 7 V |
| 源极击穿电压 | - 5 V to 0.8 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 3.5 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏栅极电压（最大值） | -5 to 1 V |
| 弧度硬化 | No |
| 漏极电流（最大值） | 1 A |
| 栅源电压（最大值） | 0.8 V |
| 包装类型 | LPCC |
| 工作温度（最小值） | -65C |
| 漏源电压（最大值） | 7 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 7 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 5 V to 0.8 V |
| 品牌 | Broadcom / Avago |
| Id - Continuous Drain Current | 1 A |
| 工作频率 | 2 GHz |
| NF - Noise Figure | 1 dB |
| P1dB - Compression Point | 29 dBm |
| Pd - Power Dissipation | 3.5 W |
| 技术 | GaAs |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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