图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 封装 | Tray |
| 功率耗散 | 500 W |
| 频率 | 250 MHz |
| 输出功率 | 300 W |
| 增益 | 15 dB |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | M244 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 125 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Id - Continuous Drain Current | 40 A |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| 品牌 | Advanced Semiconductor, Inc. |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 125 V |
| Pd - Power Dissipation | 500 W |
| 工作频率 | 250 MHz |
| 技术 | Si |
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