M/A-COM Technology Solutions
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 晶体管类型 | N-Channel |
| 电压 - 额定 | 125V |
| 标准包装 | 6 |
| 供应商设备封装 | * |
| 电压 - 测试 | 50V |
| 封装 | * |
| 频率 | 80MHz |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | * |
| 电流 - 测试 | 800mA |
| 额定电流 | 60A |
| 功率 - 输出 | 600W |
| 其他名称 | 1465-1157 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 40 V |
| 连续漏极电流 | 60 A |
| 功率耗散 | 1350 W |
| 输出功率 | 600 W |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 125 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装 | Screw |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 引脚数 | 3 |
| 元件数 | 1 |
| 渠道类型 | N |
| 筛选等级 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 弧度硬化 | No |
| 功率增益（典型值） @ VDS | 21 dB |
| 漏极效率（典型值） | 45 % |
| 反向电容（典型值） | 75@50V pF |
| 漏源电压（最大值） | 125 V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1 |
| 类型 | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 125 V |
| 技术 | Si |
| 品牌 | MACOM |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| Pd - Power Dissipation | 1350 W |
| 工作频率 | 80 MHz |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 40 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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