所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 15 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 产品种类 | IGBT Modules |
| 连续集电极电流在25 C | 110 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1200 V |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | INT-A-PAK |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :NPN |
| DC Collector Current | :110A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2.5V |
| 功耗 | :390W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :1.2kV |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :INT-A-PAK |
| No. of Pins | :3 |
| 工作温度范围 | :-40°C to +150°C |
| Weight (kg) | 0.009 |
| Tariff No. | 85412900 |
咨询QQ
热线电话