vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-236 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.64 A |
| RDS -于 | 1000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 4.5 ns |
| 典型上升时间 | 8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 9 ns |
| 典型下降时间 | 6.3 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 1000@10V |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-236 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大连续漏极电流 | 0.64 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 420mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1 Ohm @ 300mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | TN0201K-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.64 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1000 mOhms |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 商品名 | TrenchFET |
| 封装/外壳 | TO-236-3 |
| 零件号别名 | TN0201K-E3 |
| 上升时间 | 8 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 8 ns |
| Continuous Drain Current Id | :420mA |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :800mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :350mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :420mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.00025 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
