所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-263 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 40 A |
| RDS -于 | 30@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 11 ns |
| 典型上升时间 | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| Package Width | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 3750 |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 30@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| Package Height | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 40 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 40A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 mOhm @ 15A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 3.75W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 2400pF @ 25V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 60nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SUM40N10-30-E3CT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.41 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.41mm |
| 最大漏源电阻 | 0.03 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 3.75 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-263 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 35 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2400 pF V @ 25 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 40 A |
| 正向跨导 - 闵 | 10 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS(ON) | 30 mOhms |
| 功率耗散 | 3.75 W |
| 上升时间 | 12 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 12 ns |
| Continuous Drain Current Id | :40A |
| Drain Source Voltage Vds | :100V |
| On Resistance Rds(on) | :34mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :20V |
| Threshold Voltage Vgs | :4V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
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