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厂商型号:

SUM40N10-30-E3

芯天下内部编号:
5-SUM40N10-30-E3
生产厂商:

vishay / siliconix

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-263
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 100 V
最大连续漏极电流 40 A
RDS -于 30@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 11 ns
典型上升时间 12 ns
典型关闭延迟时间 30 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Rail / Tube
最大门源电压 ±20
Package Width 9.65(Max)
PCB 2
最大功率耗散 3750
最大漏源电压 100
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 30@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-263
标准包装名称 D2PAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
Package Length 10.41(Max)
引脚数 3
Package Height 4.83(Max)
最大连续漏极电流 40
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 40A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 TO-263 (D2Pak)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 30 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.75W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 2400pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 60nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 SUM40N10-30-E3CT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 10.41 x 9.65 x 4.83mm
身高 4.83mm
长度 10.41mm
最大漏源电阻 0.03 Ω
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 3.75 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-263
典型栅极电荷@ VGS 35 nC V @ 10
典型输入电容@ VDS 2400 pF V @ 25
宽度 9.65mm
工厂包装数量 800
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 20 V
连续漏极电流 40 A
正向跨导 - 闵 10 S
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 30 mOhms
功率耗散 3.75 W
上升时间 12 ns
漏源击穿电压 100 V
RoHS RoHS Compliant By Exemption
下降时间 12 ns
Continuous Drain Current Id :40A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :34mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :20V
Threshold Voltage Vgs :4V
No. of Pins :3
Weight (kg) 0
Tariff No. 85412900

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