Vishay
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| Package Width | 3.05 |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 33000 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 63@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK 1212 |
| 标准包装名称 | PowerPAK 1212 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 渠道类型 | N |
| Package Length | 3.05 |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| Package Height | 1.04 |
| 最大连续漏极电流 | 8 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | * |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 63 mOhm @ 4.3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 33W |
| 封装/外壳 | * |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 470pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 12nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 正向跨导 - 闵 | 11 S |
| RDS（ON） | 63 mOhms |
| 功率耗散 | 33 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 8 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 零件号别名 | SQS462EN-GE3 |
| 上升时间 | 9 ns |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 8 ns |
| Continuous Drain Current Id | :8A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.05ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :33W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK 1212 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8A (Tc) |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
