Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 29 mOhm @ 12A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1875pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 21.2nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 16 A |
| RDS（ON） | 29 mOhms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 零件号别名 | SQS401EN-GE3 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :-16A |
| Drain Source Voltage Vds | :-40V |
| On Resistance Rds(on) | :0.02ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-2V |
| 功耗 | :62.5W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK 1212 |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :- |
| 工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
| Voltage Vgs Max | :-20V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
