vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 5PowerPAK SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 26.3 A |
| RDS -于 | 4@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 48 ns |
| 典型上升时间 | 66 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 典型下降时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 26.3A (Ta), 32A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 69.4W |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7765pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 150nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Continuous Drain Current Id | :32A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :3.3mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1.2V |
| 功耗 | :69.4W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :32A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85411000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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