Vishay Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 600 mOhm @ 3.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 78W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 680pF @ 100V |
| 其他名称 | SIHU7N60EGE3 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 4 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 系列 | E |
| RDS（ON） | 600 mOhms |
| 功率耗散 | 78 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | IPAK (TO-251) |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Continuous Drain Current Id | :7A |
| Drain Source Voltage Vds | :600V |
| On Resistance Rds(on) | :0.5ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :2V |
| 功耗 | :78W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-251 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Voltage Vgs Max | :30V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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