Vishay Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 850 mOhm @ 4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 156W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 527pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIHP8N50D-E3CT |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 5 V |
| 连续漏极电流 | 8.7 A |
| RDS（ON） | 850 mOhms |
| 功率耗散 | 156 W |
| 零件号别名 | SIHP8N50D-GE3 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 8.7A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | E |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 15.49 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 长度 | 10.41 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
