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厂商型号:

SIHP30N60E-E3

芯天下内部编号:
5-SIHP30N60E-E3
生产厂商:

Vishay / Siliconix

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±20
安装 Through Hole
包装宽度 4.65(Max)
PCB 3
最大功率耗散 250000
最大漏源电压 600
欧盟RoHS指令 Compliant
Maximum Drain Source Resistance 125@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 10.51(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 9.01(Max)
最大连续漏极电流 29
标签 Tab
铅形状 Through Hole
单位包 0
最小起订量 1
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 29A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 125 mOhm @ 15A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 250W
标准包装 1,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 2600pF @ 100V
其他名称 SIHP30N60EE3
闸电荷(Qg ) @ VGS 130nC @ 10V
封装/外壳 TO-220-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
外形尺寸 10.51 x 4.65 x 15.49mm
身高 15.49mm
长度 10.51mm
最大连续漏极电流 29 A
最大漏源电阻 0.125 Ω
最大漏源电压 600 V
最大门源电压 ±20 V
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 250 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO220AB
典型栅极电荷@ VGS 85 nC @ 10 V
典型输入电容@ VDS 2600 pF @ 100 V
典型关闭延迟时间 63 ns
典型导通延迟时间 19 ns
宽度 4.65mm
连续漏极电流 29 A
栅源电压(最大值) �20 V
功率耗散 250 W
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 600 V
弧度硬化 No
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :29A
Drain Source Voltage Vds :600V
On Resistance Rds(on) :0.104ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :2V
功耗 :250W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :TO-220AB
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Voltage Vgs Max :30V
Weight (kg) 0.00195
Tariff No. 85044090

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