Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D²PAK (TO-263) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 380 mOhm @ 8A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1900pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 68nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 16 A |
| 正向跨导 - 闵 | 3 S |
| RDS（ON） | 380 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 38 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 68 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 29 nS |
| 上升时间 | 156 nS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 31 nS |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Tc) |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 系列 | E |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
