vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 10PolarPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 45 A |
| RDS -于 | 1.6@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 180|25 ns |
| 典型上升时间 | 215|55 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 50|55 ns |
| 典型下降时间 | 15|10 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 60A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 10-PolarPAK® (L) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 1.6 Ohm @ 25A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 8800pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 155nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK® (L) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIE808DF-T1-E3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 45 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 1.6 mOhms |
| 功率耗散 | 5.2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PolarPAK-10 |
| 零件号别名 | SIE808DF-E3 |
| 上升时间 | 215 ns, 55 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 下降时间 | 15 ns, 10 ns |
| 系列 | SIE |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.8 mm |
| 宽度 | 5.16 mm |
| 长度 | 6.15 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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