Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 95pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3nC @ 8V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIB912DK-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 1.5 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 216 mOhms at 4.5 V |
| 功率耗散 | 1100 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerPAK SC-75-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 零件号别名 | SIB912DK-GE3 |
| 上升时间 | 10 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 10 ns |
| Continuous Drain Current Id | :1.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.18ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :400mV |
| 功耗 | :3.1W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PowerPAK SC75 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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