vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6PowerPAK SC-75 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 40@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 13|5 ns |
| 典型上升时间 | 11|8 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 11|13 ns |
| 典型下降时间 | 9|6 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 0.75 |
| 最大功率耗散 | 2400 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 40@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 1.6 |
| 供应商封装形式 | PowerPAK SC-75 |
| Package Length | 1.6 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 引脚数 | 6 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Ta), 7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SC-75-6L Single |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 13W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 350pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 9.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-75-6L |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SIB408DK-T1-GE3CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 14 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 32 mOhms |
| 功率耗散 | 2.4 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PowerPAK SC75-6L |
| 零件号别名 | SIB408DK-GE3 |
| 上升时间 | 11 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 9 ns |
| 高度 | 0.8mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 1.7mm |
| 典型输入电容值@Vds | 350 pF @ 15 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 50 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 13 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 1.7 x 1.7 x 0.8mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns |
| 典型关断延迟时间 | 13 ns |
| 封装类型 | SC-75 |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| 系列 | SIB |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 身高 | 0.75 mm |
| 宽度 | 1.6 mm |
| 长度 | 1.6 mm |
| 商品名 | TrenchFET |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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