Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4.5A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 供应商设备封装 | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 6.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 400pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.5nC @ 8V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 4.5 A |
| 正向跨导 - 闵 | 15 S |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 53 mOhms |
| 功率耗散 | 6.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 零件号别名 | SIA810DJ-GE3 |
| 上升时间 | 32 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 53 ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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