vishay / siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6Micro Foot |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| RDS -于 | 60@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 2300 ns |
| 典型上升时间 | 2200 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 1300 ns |
| 典型下降时间 | 9000 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | BGA |
| Package Height | 0.36(Max) |
| 最大功率耗散 | 1700 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 60@4.5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 1.6(Max) |
| 供应商封装形式 | Micro Foot |
| Package Length | 2.4(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 |
| 引脚数 | 6 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.5A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 350µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 供应商设备封装 | 6-Micro Foot™ |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 60 mOhm @ 1A, 4.5V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | 6-MICRO FOOT®CSP |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | SI8901EDB-T2-E1CT |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-3.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :-20V |
| On Resistance Rds(on) | :0.081ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-1.8V |
| Threshold Voltage Vgs | :-450mV |
| 功耗 | :1W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :MICRO FOOT |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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